DS35M12B-IB和DS35M12C-ID是业界领先的SPI NAND Flash存储器，采用高速串行外设接口(SPI)，提供高可靠性存储解决方案。这两款产品专为工业自动化、汽车电子和网络通信设备设计，具有卓越的数据完整性和长期耐用性。

关键特性

✅ 大容量存储：

• DS35M12B-IB：1Gb (128MB)

• DS35M12C-ID：2Gb (256MB)

✅ 高速SPI接口：支持104MHz时钟频率，数据传输速率达416Mbps

✅ 增强可靠性：

• ECC纠错能力：4-bit/528Bytes

• 数据保持：10年以上

• 擦写次数：10万次

✅ 宽工作范围：

• 电压：2.7V~3.6V

• 温度：-40°C~+105°C（工业级）

✅ 安全特性：支持OTP(One-Time Programmable)区域和写保护功能

DS35M12B-IB与DS35M12C-ID对比

型号

容量

封装

最大时钟频率

典型功耗

DS35M12B-IB

1Gb

8-pad BGA

104MHz

25mA (active)

DS35M12C-ID

2Gb

24-pin TSSOP

104MHz

30mA (active)

典型应用场景