普冉半导体（上海）有限公司是专注于汽车、工业及消费类应用的非易失性中小容量存储器、高安全存储器、无刷直流风机以及高性能磁传感芯片的无自有晶圆厂半导体设计公司。总部位于上海张江高科技园区。

作为半导体行业的创新者，普冉推出的110nm非易失性存储器具备业界的400万次擦写寿命、6KV静电防护能力、极低的工作电流和静态功耗，在智能电网、汽车前装、工业控制、以及新兴的IoT领域广泛应用。普冉在业界率先采用先进BCD技术开发的一体化无刷直流风机驱动芯片与市场的家电和系统制造商密切配合，在家电、工业和PC领域取得极大成长。普冉配合国内的半导体企业开发的40-55nm高安全Flash产品也成为国内金融IC产品打破国外垄断的先锋。

MVJ9K9ZZAD9DQKSM-053BT    128 GB eMMC + 32G LP-DRAM    VFBGA    254B

SMVJ9M9ZZBD9DQKPR-046FT    128 GB eMMC + 48G LP-DRAM    VFBGA    254B

SUJ6Z4ZZ4D4TGFAK-BU    4GB eMMC + 4G LP-DRAM    N/A    153/196

SUKJ6J6ZZVD6RGEDX-BU    16GB eMMC + 512M LP-DRAM    N/A    169/392

SUKJ6L2ZZ3D2RGFAK-BU    2GB eMMC + 3G LP-DRAM    N/A    153/196

SUKJ6M2ZZ2D2RGEAM-BU    2GB eMMC + 2G LP-DRAM    N/A    153/196

SUKJ6N4ZZ6D4TGLDM-BU    4GB eMMC + 6G LP-DRAM    N/A    153/196

SUKJ6Y4ZZ4D4RGFAK-BU    4GB eMMC + 4G LP-DRAM    N/A    153/196

SUKJ6Z4ZZ4D4RGFAK-BU    4GB eMMC + 4G LP-DRAM    TFBGA    153/196

SUKJ6Z4ZZ4D4TGFAK-5BT    4GB eMMC + 4G LP-DRAM    TFBGA    153/196

SUKJ6Z4ZZ4D4TGFAK-PT    4GB eMMC + 4G LP-DRAM    N/A    153/196

SUKJ6Z4ZZ4D4TGFAK-SS    4GB eMMC + 4G LP-DRAM    TFBGA    153/196

SUMJ6C0ZZ2DVTJEMR-BU    512MB eMMC + 2G LP-DRAM    N/A    121/165

SUPJ64VZZ6D4RKLMW-BU    4GB eMMC + 6G LP-DRAM    N/A    162/200